• 发布日期：2020-11-21
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    半导体发光二极管和半导体激光器类似，也是一个PN结，也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。半导体发光二极管记作LED，是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层，以及中间的由双异质结构成的有源层组成。有源层是发光区，其厚度为0.1～0.2μm左右。半导体发光二极管的器件特性？
    1、输出光功率与电流和温度的关系。对表面出光器件，在驱动电源较小时，输出功率随电流线性增大，电流较大时变为亚线性，量子效率也随之降低，这是发热温升引起的。超辐射二极管因存在相当大的增益，使器件存在很强的超线性行为，温度敏感性随增益提高而增强；

    2、光谱特性，表面发光的LED光谱属自发辐射谱。发射波长为0.85μm的GaAlAs（镓铝砷）器件，光谱宽度约为40nm。1.3μm的InGaAsP（铟镓砷磷）器件为ll0nm。端面出光LED，由于沿有源区长度方向的自吸收，谱宽比面出光LED窄，对超辐射二极管，光增益的出现使光谱进一步变窄；

    3、输出功率和调制带宽，影响LED输出功率和调制带宽的因素有界面非辐射复合，自吸收和载流子漏泄等。这些因素又与器件参数有关，诸如掺杂浓度、少数载流子扩散长度、吸收系数、有源层厚度，双异质结中有源层与限制层的带隙能量差和注入电流密度等，这些参数又是相关的。调制带宽与输出功率呈倒数关系，对特定的材料和工艺水平其功率与带宽乘积也不同。