五大常用的大功率LED芯片制作方法
大功率LED作为照明光源具有体积小、耗电小、发热小、寿命长、响应速度快、安全低电压、耐候性好、方向性好等优点。外罩可用PC管制作，耐高温达135度.，低温-45度。大功率LED作为第四代电光源，赋有“绿色照明光源”之称，具有体积小、安全低电压、寿命长、电光转换效率高、响应速度快、节能、环保等优良特性，必将取代传统的白炽灯、卤钨灯和荧光灯而成为21世纪的新一代光源。大功率LED芯片的制造方法归纳如下：①增加发光的大小 单一的LED发光区域和有效地增加流动的电流量，通过均匀分布层TCL，以达到预期的磁通。但是，简单地增大发光面积不解决这个问题，散热问题，不能达到预期的效果和实际应用中的磁通量。②硅底板倒装法 共晶焊料首先，准备一个大的LED面板灯芯片，并准备一个合适的尺寸，在硅衬底和硅衬底，使用金的共晶钎料层和导电层导体（超声波金丝球窝接头），以及使用所述移动设备的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅衬底。这样的结构更加合理，不仅要考虑这个问题，考虑到光与热的问题，这是主流的大功率 LED生产。
③陶瓷板倒装法 通用装置的晶体结构的LED面板灯芯片的LED芯片的下一个大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶钎料层和导电层，在该区域产生的相应的引线，焊接电极中使用水晶LED芯片和大规格陶瓷薄板焊接的焊接设备。这样的结构是需要考虑的问题，也是需要考虑的问题，光，热，使用高导热陶瓷板，陶瓷板，散热效果非常好，价格也比较低，更适合为当前的基本包装材料和空间保留给将来的集成电路一体化。④蓝宝石衬底过渡方法 在蓝宝石衬底除去后的PN结的制造商，在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片，然后再连接的传统的四元材料，制造大型结构的蓝色LED芯片的下部电极上，通过常规的方法。⑤AlGaInN的碳化硅（SiC）背面光的方法 美国Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商，多年来生产的AlGaInN / SICA芯片的架构不断完善和增加亮度。由于在P型和N型电极分别位于该芯片的顶部和底部，使用一个单一的引线键合，较好的相容性，易用性，因而成为主流产品的发展AlGaInNLED另一个。
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