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东莞市平尚电子科技有限公司
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企业动态
液冷变负载下MOS管的结温预测算法
发布日期:2026-01-20
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液冷变负载下MOS管的结温预测算法
在液冷散热已成为高功率AI服务器标配的今天,其内部的电源模块正面临着一项比稳态散热更为复杂的挑战:如何精准预测在AI芯片算力剧烈波动、负载瞬间跃迁时,核心功率开关器件
MOS管
的结温动态变化。结温的瞬时峰值,而非平均温度,往往是决定MOS管长期可靠性的关键。对于专注工业级液冷应用的平尚科技而言,构建一套精准的结温预测算法,不仅是热设计的关键,更是实现电源系统智能化管理与寿命预测的基石。
AI训练与推理任务导致电源负载呈现快速、大幅度的变化,这意味着MOS管的功率损耗(包括导通损耗与高速开关损耗)并非恒定。传统的、基于最坏稳态工况的简单热估算法在此场景下已然失效,极易低估瞬时热应力。而MOS管的封装形式,是决定其散热能力、进而影响算法精度的首要物理因素。
从传统的TO系列(热阻约50-80°C/W)、到面向高频的QFN封装(通过底部大面积焊盘提升散热),再到允许顶部散热的TOLT等先进封装,其核心演进逻辑就是不断降低热阻、优化导热路径。在液冷环境中,这一趋势被进一步放大。例如,平尚科技应用于浸没式液冷的
双面散热
MOS管
,通过“三明治”封装结构让芯片热量可同时向上、下两个方向导出,其结到环境的热阻(RθJA)可较传统单面散热封装降低超过50%,达到15°C/W甚至更低的水平。这种封装革新,直接改变了后续热模型的基础参数。
基于物理的结温预测算法,本质是构建一个动态的“热阻-热容”网络模型(即热等效电路),以实时求解芯片结温(Tj)。其核心输入是实时计算的MOS管功率损耗(P_loss),核心参数则是从芯片结(Junction)到冷却液(Liquid)的总热阻(RθJL)及各路径热容。
该算法模型通常包含以下几个层次:
封装内部热阻(RθJC)
:由封装本身决定。先进的贴片封装(如DFN、QFN)能将此值做得很低,使热量更高效地传至外壳或焊盘。
界面热阻与外部热阻
:这是液冷系统设计的重点。包括导热界面材料、冷板金属基体、以及最终与冷却液交换的热阻。在平尚科技为边缘AI设备设计的紧凑型方案中,通过将MOS管直接安装在集成微流道的冷板上,可将从结到冷却液的总热阻(RθJL)优化至5-10°C/W的范围内。
热容参数
:它表征了各结构部件储存热量的能力,决定了温度变化的惯性。正是热容的存在,使得在负载突增时结温会快速上升,而非阶跃突变。
综合上述参数,算法的实时运算可以简化为:
Tj(t) = Ta + [P_loss(t) * RθJL] + (由热容影响的动态项)
。更为精确的模型(如Foster或Cauer模型)会采用多阶RC网络来拟合这一物理过程,其参数可从器件数据手册或实验测试中获得。
在实际的工业级液冷AI电源项目中,平尚科技将这一算法模型嵌入到电源管理单元中。通过实时监测输入电压、输出电流及开关频率,算法能够在线估算MOS管的瞬时功耗,并结合预置的热模型参数,持续预测结温变化。
这一预测能力带来了直接的系统收益。首先,它实现了前瞻性保护。当预测结温接近安全阈值(如125℃)时,系统可主动采取降频或限流措施,避免器件因过热而硬失效。其次,它助力寿命预测与健康管理。基于结温时间序列数据,结合如阿伦尼乌斯加速模型,可以评估MOS管的热老化程度,为预测性维护提供数据支持。
因此,液冷变负载下的
MOS管
结温预测算法,绝非一个离地的理论课题。它是连接电气设计、封装技术、热力学与系统控制的工程桥梁。平尚科技通过融合先进的封装选型、精确的系统热建模与实时算法,将结温从不可见的设计后端,转变为可预测、可管理的核心参数,从而为高可靠、高功率密度的液冷AI电源保驾护航。
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