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根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。
双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。
Field Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中，MOS型FET主要用于微控制器等数字IC。
GaAs型用于卫星广播信号接收等的微波增幅。
Metal Oxide SemicONductor的简称，因其构造分别是金属 (Metal)、硅酸化膜 (Oxide)、半導体 (SemicONductor)，故称MOS。MOS还分为P型、N型、C型，因为消费电流小，用于微控制器等集成度高的IC。
主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。CJE的小信号晶体管可以说是业界有优势的。
最大集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名，一般以树脂封装居多，这是其特点之一。
一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率，对于散热而言，它本身形状就很大 ，有的功率晶体管上还覆盖着金属散热片。
晶体管"一词由Transfer（传送信号）和Resistor（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法
为满足客户需求，CJE在分立式晶体管以外，还制造集成多个晶体管的复合晶体管。包括内置电阻的数字晶体管、集多个晶体管于一体的晶体管阵列，还有构成简单电路的晶体管单元。
※数字晶体管
内置电阻的晶体管。它是在电路设计中将频繁使用的部分标准化的产物。
根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
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