• 发布日期：2011-10-20
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五金电池片可分为单晶硅电池片和多晶硅单电池片。单晶硅电池的转换率高于多晶硅电池2-3%，多晶硅电池的弱光性好于单晶单晶太阳能电池规格：156×156±
　　规格：156×156±0.5mm
　　对角线：202±1.0mm
　　硅片的厚度：220±20um

正面：有蓝色氮化硅反射膜，银汇流带（宽有1.8、1.6、正面：有蓝色氮化硅反射膜，银汇流带（宽有1.8、1.6、2毫米规格宽）

背面：全部由铝背场覆盖，有4毫米宽的银铝焊线

光生伏打原理
　　当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能的过程。

铝背场
定义：为了改善硅太阳电池的效率，在p-n结制备完成后，往往在硅片的背面即背光面，沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场。

作用：减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极，还有可以扩散吸杂作用，与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc—Si产生不利的影响。

制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉积一层铝膜，然后再800～1000℃积一层铝膜，然后再800～1000℃热处理，使铝膜和硅合金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背场。
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