• 发布日期：2011-11-02
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　　全彩LED显示屏具有高可靠性和长寿命的优点，在实际生产研发过程中，需要通过寿命试验对LED芯片的可靠性水平进行评价，并通过质量反馈来提高LED芯片的可靠性水平，以保证LED芯片质量，为此我司在实现全色系LED产业化的同时，开发了LED芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等，以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。

　　电子产品在规定的工作及环境条件下，进行的工作试验称为寿命试验，又称耐久性试验，随着LED生产技术水平的提高，产品的寿命和可靠性大为改观，LED的理论寿命为10万小时，如果仍采用常规的正常额定应力下的寿命试验，很难对产品的寿命和可靠性做出较为客观的评价，而我们试验的主要目的是，通过寿命试验掌握LED芯片光输出衰减状况，进而推断全彩LED显示屏寿命。我们根据LED器件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：

　　1、样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；

　　2、工作电流为30mA；

　　3、环境条件为室温（25℃±5℃）；

　　4、试验周期为96小时、1000小时和5000小时三种；

　　全彩LED显示屏工作电流为30mA是额定值的1.5倍，是加大电应力的寿命试验，其结果虽然不能代表真实的寿命情况，但是有很大的参考价值；寿命试验以外延片生产批为母样，随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封装成ф5单灯器件，进行为96小时寿命试验，其结果代表本生产批的所有外延片，一般认为，试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验，生产工艺稳定时，1000小时的寿命试验频次较低，5000小时的寿命试验频次可更低。

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