mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

晶体管和场效应管以及开关管，mos管的区别。电力晶体管GTR是目前各种全控型器件中运用比较广泛的一种。它一般都是做成达林顿复合管的形势出现。它是电流型驱动，工作频率不高，一般在1~2KHz（但GTR虽然工作在最大耗散功率范围内，仍可能损坏，存在着二次击穿）
     电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。 开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。热稳定性好，不存在二次击穿（缺点在电压还不能太高，电流容量还不能太大，只能在小功率的电力电子变流当中运用）

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