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东芝扩充低压N通道MOSFET阵容

  • 发布日期：2022-04-24
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低导通电阻可减少移动设备的传导损失

东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导通电阻，可减少设备的传导损失。

主要特性

采用第八代工艺打造，实现低导通电阻
采用TSON Advance封装，具有很好的导热性
高雪崩电阻

主要规格

产品型号 封装 VDSS（V） RDS（ON）（mΩ）
VGS=10V VGS=4.5V
标准值 最大值 标准值 最大值
TPN2R203NC TSON Advance 30 1.8 2.2 2.8 3.6

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