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东京 – 东芝公司（东京：6502）在第四代600V系统超结MOSFET DTMOS IV系列的基础上，已开发出一个高速二极管产品系列。新系列采用了最新的单层外延工艺，与现有产品相比，其RON•A（每区域的导通电阻）降低了大约30%(注1)，所以达到了业界领先的水平。(注2) 此外，高速寄生二极管的反向恢复时间大约为现有产品(注3)的三分之一，从而减少了损失，并有助于提升功率效率。
开关电源、微型逆变器、适配器和光伏逆变器
| 器件型号 | 绝对最大值 | RDS（ON） 最大值 | Qg | Ciss | trr | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| rating | （Ω） | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||
| VDSS （V） | ID （A） | VGS=10V | （nC） | （pF） | （ns） | ||
| TK16A60W5 | 600 | 15.8 | 0.23 | 43 | 1350 | 100 | TO-220SIS |
| TK31J60W5 | 600 | 30.8 | 0.099 | 105 | 3000 | 135 | TO-3P（N） |
| TK39J60W5 | 600 | 38.8 | 0.074 | 135 | 4100 | 150 | TO-3P（N） |
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