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2013年10月19日，无源元件和互连解决方案领先的制造商AVX公司发表了新的技术论文，“多层有机(MLO™)电容器的介质吸收，”宣布了跟相关的技术相比，其MLO电容器将显示最低的介质吸收 (DA)，因此非常适合于采样保持电路。在采样保持电路的保持时间中，电容器的电压被假定为一个指定和预定的数字。但是，由于电介质吸收的差异，电路可能容易受到电压误差。
基于MIL-C-19778测试中的介质吸收测量表明了AVX的MLO电容器显示 0.0015% 介质吸收。为了进行比较，具有非常低DA的铁氟龙显示了低于0.01%的DA，以及NP0陶瓷显示了DA为0.6%。AVX应用工程师 Edgardo Menendez 表示：“由于AVX 专有的MLO材料技术，我们的MLO电容器具有超低DA, 低于许多其他电介质技术，因此它们在DA很容易能够导致输出误差的采样保持电路中是个理想的解决方案。”
AVX的MLO电容器基于AVX专有MLO材料技术，并为了实现高Q就利用大面积制备技术与独特集中元件的设计拓扑结构。该MLO电容器是一个能够在广泛的频率范围之内保持稳定性的低损耗RF部件，匹配了大多部分的FR4印刷电路板以及可供额定值高达500V。
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