半导体三级管也称为晶体管,也可以说它是电路中最中要的器件.三极管是由两个PN结构成的,最大的优点是能够放大最大的信号,它是放大电路的核心元件，能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。以下是我们在电路设计中使用三级管时需要注意的问题：
（1）需注意旁路电容对电压增益的影响：
　　这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了，由于这个旁路电容的存在，在不同频率环境中会有不同的情况发生：
　　a、当输入信号频率足够高时，XC将接近于零，即射极对地短路，此时共射的电压增益为：
　　b、当输入信号频率比较低时，XC将远大于零，即相当于开路，此时共射的电压增益为：
　　由此可以看出，在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。
（2）需注意三极管内部的结电容的影响：
　　由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是，它还会因此引起额外的相位差。
　　由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF，当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压增益就随之减小。
　　由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以，这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。
（3）需明确把握三极管的截止频率：

　　这个电路图是一个等效过后的图，其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到时，三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题，就得花心思把CL尽量减小，由此，fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管，也就是通常所说的RF晶体管；我们也可以减小RL的取值，但是这样的话得付出代价：电压增益将下降。

（4）三极管作为开关时需注意它的可靠性：
　　

如同二极管那样，三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压，在三极管用作开关时，输入信号可能在低电平时（0.7V<Vin<2.4V）也会导致三极管导通，使得三极管的集电极输出为低电平，这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。