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氮化铝ALN是AL和N唯一稳定的化合物，是III-V族中能隙值较大的半导体。AlN最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热导率高(约320W/m·K)，热膨胀系数小，纯度球形氮化铝、高是良好的耐热冲击材料。氮化铝原子间以共价键相结合，化学稳定性好，熔点高，同时它的机械强度高，电绝缘性能佳，介电性能良好是一种压电材料。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。具有良好的注射成形性能，可用于导热复合材料，与半导体硅匹配性好，界面相容性好，能提高复合材料的机械性能和导热介电性能。
特别是用在导热界面材料-导热胶专用导热填充料。通过将导热能力优异的AlN纳米粉末添加到环氧树脂中，可有效提高材料的热导率和强度。在导热界面材料中导热胶添加的氮化铝是球形氮化铝，片状氮化铝和球形氮化铝导热系数要比片状的要低，由于球形氮化铝所形成具有规则的形貌，较小的比表面积，较大的堆积密度和较好的流动性，可极大地提高制品的应用性能。球形氮化铝粉具有良好的导热性能，是目前市场热界面材料中导热系数较高使用且使用占比较高的导热填料。
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